图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 包装 | 2T-1 |
| 类型 | Chip |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| 最大集电极电流 | 15 mA |
| 峰值波长 | 860 nm |
| 透镜形状类型 | Domed |
| 镜头规格 | 3.1 mm |
| 观看方向 | Top View |
| 半强度角度 | 24 ° |
| 最大上升时间 | 8000 ns |
| 极性 | NPN |
| 标准包装 | Bulk |
| 匹配代码 | SFH309-5 |
| 单位包 | 2000 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| Photo curr.min. | 1600µA |
| Op.temp.min. | -40°C |
| 暗电流为100nA | 1nA |
| 照片curr.max 。 | 3200µA |
| 敏感区 | 0.038mm² |
| 汽车 | CERTIFICAT |
| Sens.range分 | 380nm |
| 探测角度 | 24° |
| Max.sensivity | 860nm |
| 上升/下降时间 | 8000ns |
| 正向V / VCEO | 35V |
| SMD / THT | THT |
| V（ CEO ） | 35V |
| 电源dissip | 165mW |
| 最小起订量 | 2000 |
| Op.temp.max. | 100°C |
| 封装 | BULK |
| Sens.range最大 | 1180nm |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.015 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 35 V |
| 半强度角 | 24 deg |
| 功率耗散 | 0.165 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -40C to 100C |
| 包装类型 | T-1 |
| 引脚数 | 2 |
| 上升时间 | 8000 ns |
| 暗电流（最大值） | 200 nA |
| 光电流 | 7200 uA |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 集电极 - 发射极电压星期六（最大值） | 0.2 V |
| 下降时间 | 8000 ns |
| 弧度硬化 | No |
| 暗电流 | 200 nA |
| 删除 | Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 0.015 A |
| RoHS指令 | RoHS Compliant Part |
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